摘要:掺锡氧化铟粉是由铟氧化物和锡氧化物构成的混合物,通过X射线衍射技术(XRD)对不同的掺锡氧化铟粉中的物相成分进行研究和分析。结果表明,掺锡氧化铟粉中存在SnO2、InxSnyOz和In2O3。
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掺锡氧化铟粉又称氧化铟锡粉,简称ITO粉,是制造ITO靶材的前驱物,全世界约70%以上的铟用于生产此材料,进而制造ITO靶材。ITO靶材主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜以及EMI屏蔽的透明传导镀膜等[1-4]。对掺锡氧化铟粉中元素的赋存状态、物相组成及含量进行深入研究,是了解各元素在冶金过程的迁移、揭示成分—工艺—微观结构—性能之间关系的规律,选择性针对处理方式、优化工艺条件并提高原料利用效率的前提和依据。对于ITO靶材的任何应用来说,高品质的ITO粉体是决定靶材质量的关键因素,因此有必要对ITO粉的物相成分进行检测分析。
X射线衍射物相分析是一种利用X射线在晶体物质中的衍射效应进行物质结构分析的现代技术。X射线衍射的应用范围非常广泛[5-7],现已渗透到物理、化学、地球科学、材料科学以及各种工程技术科学中,成为一种重要的实验方法和结构分析手段。目前国内外关于掺锡氧化铟粉中的物相成分分析鲜有报道,本文采用X射线衍射法分析ITO粉中的物相成分。项目列入工信部2017年行业标准制修订计划,计划号2017-0135T-YS,并获广西基地和人才专项(桂科AD1729066)资助。
1、试验仪器
荷兰帕纳科公司X’PertPROX射线衍射仪:CuKα辐射,X光管管压40kV,管流40mA,发散狭缝1/4°,散射狭缝1/2°,接收狭缝7.5mm,扫描范围(2θ):20°~70°,扫描步长(2θ)0.026°,每步停留时间20.4s。
2、试验样品
2.1 试验样品
试验样品8个,具体如下:
1#:In2O3粉;
2#:SnO2粉;
3#:机械混合法制得的ITO粉,90%In2O3+10%SnO2;
4#:化学共沉淀法制得的ITO粉,90%In2O3+10%SnO2;
5#:机械混合法制得的ITO粉制备的ITO靶材,90%In2O3+10%SnO2;
6#:化学共沉淀法制得的ITO粉制备的ITO靶材;90%In2O3+10%SnO2;
7#:化学共沉淀法的ITO粉,95%In2O3+5%SnO2;
8#:化学共沉淀法的ITO粉,97%In2O3+3%SnO2;
2.2 测量试片
2.2.1 样品粒度应不大于0.048mm。
2.2.2 样品应在105℃±5℃烘箱中烘干1h,并置于干燥器中冷却至室温备用。
2.2.3 测量试片的制作向玻璃样品板中加入适量的样品,压实、压平,使衍射面的样品表面平整、疏密度相同、且衍射面与样品面在同一平面。
3、结果与讨论
目前,ITO粉制备方法有共沉淀法、混合法、溶胶-凝胶法、火焰喷雾热解法、喷雾燃烧法、电解法、气相-蒸发法等,其中主要方式为化学共沉淀法[8]。共沉淀法以金属铟、酸、锡盐和氨水为原料,先将金属铟溶解于稀酸中,调节溶液中In3+浓度及pH;锡盐溶于水中,然后加入铟溶液中。向该溶液中添加氨水溶液,使之产生沉淀。该沉淀经过滤、分离、洗涤、干燥、煅烧即可得到粒径均匀的掺锡氧化铟粉末。工艺流程为:表1。混合法是将99.99%氧化铟和99.99%二氧化锡研磨混匀而成。本实验主要比对研究了共沉淀法的ITO粉、混合法的ITO粉的物相成分。
3.1 ITO粉的物相成分
采用X射线衍射仪试验分析了1#~6#样品的物相成分,XRD衍射图谱见图1。
3#样品的谱图:特征衍射谱峰所对应的物相为In2O3和SnO2,说明机械混合法,In2O3和SnO2没有发生相变。机械混合法制得的ITO粉体保留了原有的In2O3相和SnO2相。
4#样品的谱图:特征衍射谱峰所对应的物相为氧化铟锡相(InxSnyOz)和SnO2。但与3#样品的特征衍射谱峰相互比较,In2O3的特征衍射峰增强,SnO2的特征衍射峰减弱,而3#样品和4#样品中的铟锡质量比是相同的。由此可知:共沉淀法制得的掺锡氧化铟粉体,Sn掺杂入了In2O3的晶型结构中形成氧化铟锡相(InxSnyOz),并保持In2O3的晶体结构,增强了特征衍射峰。这也符合理论——固溶体一般会保持溶剂物质的晶体结构[9],而SnO2相大幅降低减少。
5#、6#样品的谱图:两者特征衍射谱图一致,谱峰所对应的物相均为氧化铟锡相(InxSnyOz),SnO2相的特征衍射峰完全消失。说明两种方法生产的掺锡氧化铟粉在制备ITO靶材的烧结过程中,Sn全部掺杂进In2O3的晶型结构中形成单一的物相——氧化铟锡相(InxSnyOz)。无论是机械混合法还是化学共沉淀法制得的掺锡氧化铟粉,经1600℃高温烧结后,铟锡形成固溶体,ITO靶材中只存在氧化铟锡相(InxSnyOz)。
3.2 化学共沉淀法制备不同质量比的ITO粉的物相成分
试验选用了化学共沉淀法制得的质量比分别为:90%In2O3+10%SnO2(4#)、95%In2O3+5%SnO2(7#)和97%In2O3+3%SnO(8#)共3个样品进行物相成分分析。3种样2品的XRD特征谱图见图2。从图2可以看出3种不同质量比的样品中物相成分是一致的,均为氧化铟锡相(InxSnyOz)和SnO2。随着In2O3含量增加、SnO2含量减少,对应谱图中的氧化铟锡相(InxSnyOz)的特征谱峰强度增强,SnO2的特征谱峰强度减弱。通过Highscoreplus中的全谱拟合来对三种样品进行定量分析发现,共沉淀法制得不同质量比的掺锡氧化铟粉中,约有60%的Sn掺杂形成氧化铟锡相。锡元素在氧化铟锡相、氧化锡相的配分含量见表1。
4、结论
(1)混合法制得的掺锡氧化铟粉中的物相为In2O3和SnO2,共沉淀法制备的掺锡氧化铟粉中的物相为氧化铟锡相(InxSnyOz)和少量SnO2。
(2)采用共沉淀法制得的掺锡氧化铟粉,约有60%的Sn掺杂进In2O3的晶型结构中形成氧化铟锡相,其晶型结构与ITO靶材的晶型结构一致。
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