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碱金属钛酸盐不仅具有优异的力学性能,且熔点较高、热导率低、红外反射率高,因此在高温隔热领域应用前景广阔。对于隔热材料而言,热稳定性是其最重要的性能衡量指标之一,热稳定性较差的隔热材料,长期在高温环境下服役将会发生粉化或出现隔热能力衰减,从而影响其使用寿命。
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硅酸钆(Gd2SiO5)是重要的闪烁体、激光晶体材料光学基体[1,2]。有关Ce3+、Yb3+掺杂Gd2SiO5晶体研究较多,如:Gd2SiO5∶Ce3+晶体[3,4,5,6]具有高辐射硬度、快光衰减(30~60nm)、高光输出(NaI的20%)、不易潮解等特性,可广泛应用于光电通讯系统、高能量物理、核物理、层析医学X射线成像、伽马射线正电子发射断层扫描(PET)等领域。
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蓝宝石为除了红色之外剩余颜色的宝石级刚玉,蓝宝石色调较为独特,其中蓝芙蓉色是上品。颜色的差异,导致宝石价值也存在差异。因为天然衍生的大量蓝宝石色调较差,非常影响自身价值,随着人们对刚玉宝石需求量的增多以及传统资源的匮乏,与宝石晶体改色相关的处理方法在珠宝领域中便是当下最热门的宝石处理方法。
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本文通过对埚帮所处的工作环境进行数值模拟分析,利用DX-2700BH多功能衍射仪对异化后的埚帮进行了物相分析,采用ZEISSSUPRA55型场发射扫描电子显微镜对材料的微观形貌进行观察以探寻埚帮失效的原因,理清C/C复合纤维异化的过程以及明确异化物,为高寿命埚帮的设计和延长其使用寿命提供一定的处理策略。
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金刚石是迄今为止在自然界中硬度最高的可实用材料[1],具有很多优秀特性,是应用价值很大的工具材料。同时,金刚石也有很多其他特性,例如禁带宽度大、电子和空穴迁移率高、碳原子结合能大和热传导率大,这些特性使金刚石应用于电子器件领域时具有能在恶劣环境下稳定工作、信号响应速度快和散热速度快的优点。
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利用EAM模型势的分子动力学模拟表明,单晶Ce在一定强度的冲击载荷下其冲击波阵面会呈现出多波结构,并具有明显的晶向取向相关性:在[001]和[011]晶向加载下表现为双波结构,依次为前驱波和相变波;而在[111]晶向加载下表现为三波结构,在前驱波和相变波之间还存在一个g-Ce中的塑性波,该塑性波对应于偏位错和层错的生成.
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70余年来,由于应用的需要和原材料的限制,闪烁晶体品种经历了20世纪50年代至60年代末以卤化物为主,到70年代至90年代后期以氧化物和氟化物为主,再到21世纪后以非氟卤化物为主的发展过程。所谓非氟卤化物就是组成中不含有氟元素的卤化物,包括氯化物、溴化物、碘化物以及它们的混合物。
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尽管研究者对2~4英寸SiC单晶生长的相关温场进行了研究,但随着晶体生长尺寸的不断增加,因不合理的温场分布而诱发的缺陷和热应力也随之增加,成为6英寸SiC晶圆产业化的障碍,因此,开展高品质6英寸SiC晶体生长热场的优化设计与验证工作是6英寸晶体产业化研究的重点之一。
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用粉末X射线衍射(PXRD)研究了RbY2Cl7∶Ce的物相,用DTA/TG测量了晶体的熔点为617℃。测量了该晶体的光致激发和发射光谱及衰减时间、X射线激发发光(XIL)光谱和137Cs脉冲高度谱及衰减时间,发现RbY2Cl7∶Ce是一种具有一定应用前景的X射线和伽马射线探测应用的新型闪烁晶体。
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硫酸钙晶须又被称作石膏晶须,崔益顺等[1,2,3]利用天然石膏粉、脱硫石膏以及废电石渣为原料制备出了纤维状的硫酸钙晶须。硫酸钙晶须理化性质优异,并且结构、尺寸稳定性好。由于生产半水硫酸钙晶须不需要很高的成本,所以很受市场青睐,并在保温、摩擦和建材领域发挥了重要作用[4,5,6,7,8,9,10]。
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通过将图案化光取向技术与向列相液晶相结合,我们提出了一种制作可调谐达曼光栅的方法。实验结果表明:对于制备的达曼光栅,衍射效率为76.8%,均匀度为0.11。通过在DG加电压(10V),从开启状态到关闭状态的切换时间是70us,从关闭状态返回到开启状态是3.4ms。所设计的DG具有可调谐,低成本,偏振无关,快速可切换的优点。
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本文总结了几种常见的定向排列量子棒的方法,介绍我们实验室通过光控取向技术定向排列量子棒的技术进展[25]。该技术是通过将CdSe/CdS量子棒与液晶单体混合,量子棒表面所修饰的配体与液晶分子相互交叉结合,通过定向排列液晶单体来实现量子棒的定向排列。经紫外光聚合后,液晶单体之间发生光交联反应固化成液晶聚合物薄膜,将定向排列的量子棒锁定在该薄膜中。
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应用超声波基本理论,在大量数学定律的支持下,对超声声压的分布表达式进行推导,应用Matlab仿真软件对圆形压电晶体进行三维模型的建立。从多个角度、多个方面讨论分析圆形压电晶片所发射的声场,了解其分布特征。并讨论不同参数的变化对声场分布情况的影响,可为不同环境下超声探头的选用作为参考依据。
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通过Bridgman方法成功制备了大尺寸Cs4SrI6∶3%Eu单晶,研究了该晶体的闪烁特性。紫外可见荧光光谱和X射线激发发射光谱均显示Cs4SrI6∶Eu晶体的主发射峰位于460nm附近,对应于Eu2+的5d→4f的电子辐射跃迁,与光电倍增管有较好的匹配。在137Cs662keV辐照下,Cs4SrI6∶3%Eu晶体(360mm3)的光输出约为42000ph/MeV,能量分辨率约为7.3%。
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实验讨论了在不同的生长时间下,沟槽内部金刚石的外延生长过程,以及当改变沟槽的宽度和深度时,沟槽在外延金刚石膜生长前后的宽度和深度变化。在本实验中,金刚石膜的横向拼接生长会对沟槽进行填充连接,这种生长方式不仅对大尺寸单晶金刚石的“Mosaic拼接法”外延生长具有重要意义,同时对金刚石上沟槽的埋层式电极的生长具有指导作用。
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影响因子:0.709
影响因子:2.324
影响因子:1.609
影响因子:0.642
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