2024-12-25
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摘要:本文提出了开关控制模式的浪涌抑制技术,并研究了控制机理。首先,控制场效应管,降低浪涌冲击,能够解决传统电路中使用TVS吸收造成的散热问题,同时解决了LDO降压模式下器件的可靠性问题。本方法提高了浪涌抑制效率和准确度,提升了电路的可靠性。其次,对开关控制电路中的磁性元件、驱动电路和控制策略进行优化,以DSP为核心,采用输出电压与输入电压双反馈模式,进行场效应管的开启与关闭时间控制。使用小信号模型的分析,设计电压环的PI调节器。最后,进行常用的浪涌抑制方法研究和电路分析,深入研究开关控制模式的自动控制方法,采用DSP控制芯片,利用高速PWM波对开关器件进行开关控制,抑制浪涌电压。
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汽车28V DC电源要求用电负载能够承受过压浪涌 80V/50ms,而在发动引擎、瞬变负载等情况下常发生电压浪 涌。本文所指浪涌均为过压浪涌。浪涌电压显著超过稳态电源电压,当它袭击用电设备时,通常会造成误操作和设备损 坏,使整个系统停顿、通信中止[1]。
鉴于浪涌的危害性,为了防止浪涌电压冲击损坏设备,需要为DC电源设备提供有效的抗浪涌电路,对其进行防护。 80V/50ms 过压浪涌具有较大的伏秒积,如果沿用传统的储 能方式进行抑制,就需要较大的电感、电容元器件。
虽然电压钳位器件可以吸收浪涌电压的能量,但是特定用电设备承受的功耗为几千、上万瓦,电源浪涌能量较大。因此,一方面,功率偏小的功率器件很容易损坏,不能正常保护。另一方面,较大功率的元器件价格高、体积大,受用电设备内部空间、高度等限制,其应用也受到制约。
1、直流浪涌抑制电路的原型设计和实现
1.1 设计思路
输入电源从外部输入,环境比较恶劣,因此浪涌的出现概率较高。如果抑制输入电源浪涌,就需要将抑制单元加入电源输入最前端,这样才能有效防止浪涌冲击后续用电设备。
加入浪涌单元的方法有3种。第一种是直接利用现有 的浪涌抑制器,其内部由压敏电阻、TVS和二极管等多个分 立器件构成。当浪涌经过时,输入电压超过器件额定工作电 压,相关器件对过压部分进行钳位,吸收多余能量。但是该 方案发热量大,钳位电压波动大、不可控,一般用于要求不 高的场合。第二种是采用降压模式(LDO),即浪涌来临时, 内部控制器件采用一定控制逻辑,将输出电压控制在一定范 围内,保障后续设备安全。该方法的优点是控制简单、对电 路设计要求低且控制精度高。但是大部分电能会消耗在一个 功率器件上,该器件的散热压力较大,导致选型困难,需要 过流参数较大的器件。第三种是采用开关模式,利用PWM 波对浪涌电压进行斩波,从而实现浪涌抑制。该方法浪涌抑 制效果较好,输出可控,技术先进,但是设计难度较高。本 文选择第三种进行方案设计,如图1所示。电子开关模块受 浪涌检测模块控制,正常范围内保持导通,对设备进行正常 供电。当电源出现浪涌、电压超出正常范围时,受浪涌检测 模块控制,开关模块立即断开,杜绝浪涌电压对设备造成冲
图1 电子开关控制抑制浪涌
在正常情况下,电源电压的波动范围低于钳位器件的动作电压,钳位器件无反应,相当于开路,对电路没有影响。当电源出现浪涌时,浪涌电压高于钳位器件的动作电压,钳位器件快速导通,吸收浪涌电压的能量,将电源电压限制在安全范围内,从而起到保护用电设备的作用[2-4]。
1.2 电路原型
本文根据上述浪涌抑制思路,设计了整个拓扑和控制电路。直流浪涌抑制电路原型如图2所示。
当Q打开时,电感流过电流,进行储能,同时TAP2 与 TAP3 这2个端点电压增大,电感电流增大,电感进行储能 动作;当Q关闭时,鉴于电感特性,即电流不能突变,因此 电感电流下降,释放储存的能量,为负载供电。R1、R2为 输入电压分压电阻,将分压值输入DSP MCU控制器的VIN_ S 端进行ADC采样,采集输入电压的值。DRV为DSP产生 的PWM波,将其输入驱动电路模块,以关闭Q器件并导通 驱动电压。D为续流二极管。当Q导通时,二极管两端加入 反向电压,二极管截止;当Q关断时,二极管正端下降,由 于电感需要续流,因此在Q关断瞬间,二极管的电感端电压 迅速下降,当降至低于二极管导通压降时,二极管导通,为 电感续流,同时对电感输入端与地间电压进行钳位,保护Q 免受电压冲击。电容是输出电压的滤波器件,可以使端点电 压TAP2 保持稳定,降低Q开关时产生的电压纹波。R3 、R4 为输出分压电阻,能够实时采集输出电压,并分压为低压信 号,传入DSP的FB脚,利用DSP内置ADC实时采集输出 电压。
2、电路分析与参数设计
控制器DSP在运行过程中实时检测VIN_S电压值。当电源输入电压在正常电压范围即18V~36V时,驱动MOSFET, 打开开关。电流通过Q流经电感L,到达电容和负载。输入 与输出的压降为Vout =Vin–I×R,R为MOSFET(Q)的导通内 阻,一般不超过10mΩ,因此MOSFET器件上的压降较小, 损耗也较少。
当浪涌发生时,电源输入电压升高,>36V。此时DSP 检测到输入电压过压,会发出PWM波形,使MOSFET不停 地开通、关闭,同时检测输入电压TAP3 的反馈电压FB的 值。当检测到反馈电压>36V时,就会降低PWM占空比, 缩短MOSFET开通时间,从而降低输出电压;当检测到反馈 电压<36V时,就会增大PWM占空比,增加MOSFET导通 时间,使输出电压增加。在浪涌期间,DSP不停地调节PWM 占空比,从而使输出电压稳定在36V上下,直到浪涌消失为止。相关波形如图3所示。
由上述分析可知,当浪涌到来时,DSP检测到浪涌电压, 为了维持后端输出电压不能超过额定值,因此驱动MOSFET 不停地开关,进行能量疏通与截断,根据开关频率不间断地 为后面负载供电,后端电容也不停地充、放电,以便维持负 载工作,直到浪涌结束为止。
当输入电压超过36V时,MCU开始计时,如果电压过 压时间超过100ms,即为输入过压,而不是浪涌,应立刻关 闭MOSFET,停止输出,并不断检测输入电压,直到输入电 压在正常范围内,重新打开MOSFET为负载供电。
关键器件电感的参数需要根据实际应用进行选择,本文所述电路已经应用于实际产品,现根据现有产品实际参数进行分析。现有产品电气特性如下:浪涌电压Vin 为80V,持续
时间50ms;输出最大电压Vout 为36V;额定电流I为10A; 开关频率f为200kHz。
根据公式D=Vo /Vin (D为PWM占空比;Vo 为输出电压; Vin 为输入电压),则占空比D=36/80=0.45。
根据公式V=di /dt ×L(V为电感压差;di 为电流变化值; dt 为时间变化值;L为电感值),由于di =I×0.4=10×0.4=4A, dt =D/f=1/200×0.45=2.25μs,V=Vin-Vout =80-36=44V,因此电 感值为L=V×dt /di =44×2.25/4=24.75μH,取L=22μH。
由于上述设计电路中的三极管、MOSFET和阻容等器件 在最大电流、耐压和功耗等方面没做特别要求,因此便于后 续采购生产,在实际电路设计中具有良好的应用前景。图2 直流浪涌抑制电路原型
图3 浪涌抑制电路工作波形
3、试验结果
多次采用不同宽度的浪涌电压,对浪涌抑制电路进行测试,浪涌电压持续时间都远大于50ms,其中最长持续时 间超过几十秒,测试条件相当严格。由测试结果可以看出, 该电路的应用测试令人满意,多种浪涌电压测试结果基本一 致。测试结果如图4所示。
由图4可以看出,当电源电压在正常范围内时,浪涌 抑制模块的输出电压基本与输入电压一致。当电源出现浪涌 时,输出电压上涨到浪涌保护电压值后不再上涨,会一直保 持小幅波动,不会出现上冲,完全抑制了浪涌电压。
实测的5个浪涌脉冲发生时的波形图如图5所示。由图 5可以看出,浪涌宽度为100ms,5个脉冲为1s间隔,该电 路能够完全达到抑制浪涌的目标。
本设计与其他浪涌抑制器的比较见表1,可以看出本电 路的优点。
由表1可知,对于承受浪涌时间,本电路可承受几十 秒以上,其他方案只能承受毫秒级别;对于承受浪涌间隔时 间,当多个浪涌出现时,每次浪涌间需要有间隔时间,否 则所有方案都无法产生效果,从数据看,其他方案需要秒级 以上,而本方案只需要500ms,优于其他方案;对于钳位电 压范围,本方案与LT4356系列浪涌抑制器类似,均可以调 节,使用范围广,而电压钳位器则为固定值,不能调节,适 应性不足。对于响应速度,电压钳位器响应最快,本方案与 LT4356方案相当;关于可靠性,本方案与LT4356方案更可 靠;关于功耗,本方案优于其他2个方案;关于体积,本方 案设计的产品体积最小;关于成本,本方案成本最低,优于 其他方案。
表1 本设计与其他浪涌抑制器的比较
图4 单个浪涌抑制波形图
图5 5个脉冲浪涌抑制实测波形图
4、结论
本文介绍了一种开关模式控制的浪涌抑制电路,利用MOSFET导通内阻小的特性,利用开关控制使高压的浪涌电 压转变为目标输出电压,降低了器件功率损耗,减少了大功 率情况下散热器的体积,从而缩小了整机体积,同时,本文只使用DSP控制器和电感电容等常用器件,成本低廉。
经过实测验证,本电路在现有产品上具有良好的浪涌抑制表现,可广泛应用于各类需要浪涌抑制的产品中,尤其适用于28V大功率直流系统的浪涌抑制。
参考文献:
[1]韩宁宁.防雷电浪涌保护在低压供配电系统中的应用[J]. 价值工程,2014(13):39-40.
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[3]潘家利,周茂华.低压配电系统浪涌保护器及雷电浪涌防 护[J].广西气象,2002(2):61-63.
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文章来源:夏婷,梁金峰.一种高效率的车规直流电源浪涌抑制方法[J].中国新技术新产品,2024,(24):66-68.
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